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나노 반도체 소자 설계 및 제조공정 기술 (최성재)

나노 반도체 소자 설계 및 제조공정 기술 (최성재)

  • 최성재
  • |
  • 자유아카데미
  • |
  • 2021-03-10 출간
  • |
  • 596페이지
  • |
  • 215 X 275 mm
  • |
  • ISBN 9791158083045
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목차


제1장 미세 전자 소자 제조공정 기술 개요
1-1 서론
1-2 반도체 산업의 발전
1-3 IC 제조의 단계
1-4 반도체 경향
연습문제

제2장 반도체의 기초 물성
2-1 반도체 재료
2-2 결정 구조
2-3 결정 결함
2-4 반도체 결정의 성장
2-5 도핑
2-6 플롯-존 방식
2-7 에피택시
2-8 실리콘 대체 반도체 물질
연습문제

제3장 산화 공정
3-1 열적 산화 공정의 개요
3-2 산화막의 성장 모델
3-3 반응로 장비
연습문제

제4장 집적 회로 제조공정
4-1 수동 소자의 구조
4-2 능동 소자의 구조
4-3 쌍극성 접합형 트랜지스터의 구조
4-4 FET 소자의 구조
4-5 MOSFET의 구조
4-6 CMOS 기술
연습문제

제5장 마이크로칩 제조공정에서 사용되는 화학 물질의 특성
5-1 물질의 상태와 특성
5-2 공정 화학 물질의 특성
5-3 화학 물질의 저장과 분배
연습문제

제6장 반도체 제조공정 설비의 오염 제어와 세정 공정
6-1 오염의 종류와 청정실의 중요성
6-2 오염원과 통제
6-3 DI-Water 장치
6-4 웨이퍼 세정 공정과 습식 세정 장비
연습문제

제7장 진공과 공정실의 공정 가스 제어
7-1 진공의 분류와 공정실 환경
7-2 진공 펌프의 분류
7-3 공정실의 공정 가스 흐름 제어
7-4 플라스마
연습문제

제8장 웨이퍼 결함 측정 장비 및 수율
8-1 IC 도량형과 품질 측정법
8-2 분석 장비
8-3 웨이퍼 전기 검사와 분류
8-4 수율
연습문제

제9장 CMOS 제조공정
9-1 CMOS 공정의 흐름도
9-2 CMOS 제조공정 단계
9-2-1 이중 우물 공정
9-2-2 얕은 트렌치 격리 공정
9-2-3 STI 산화막 연마와 질화막 제거 공정
9-2-4 폴리 게이트 구조 공정
9-2-5 약하게 도핑된 드레인(LDD) 주입 공정
9-2-6 측벽 공간 구성
9-2-7 소스/드레인(S/D) 주입 공정
9-2-8 접촉부 형성 공정
9-2-9 국부적 상호 연결 공정
9-2-10 비아-1과 플러그-1 형성
9-2-11 금속-1 상호 연결 형성
9-2-12 비아-2와 플러그-2 형성
9-2-13 금속-2 상호 연결 형성
9-2-14 파라미터 검사
연습문제

제10장
10-1 박막 증착의 개요
10-2 화학적 기상 증착법
10-3 CVD 공정 응용 분야
10-3-1 대기압 CVD(APCVD)
10-3-2 저압 CVD(LPCVD)
10-3-3 플라스마 보조형 CVD
10-3-4 강화된 플라스마 CVD(PECVD)
10-3-5 고밀도 플라스마 CVD(HDPCVD)
10-3-6 CVD 공정에서 PSG, BPSG, FSG 도핑
10-3-7 유전체의 성능
10-3-8 LOCOS와 STI 기술
10-3-9 SOD
10-3-10 에피택시
연습문제

제11장
11-1 포토리소그래피 공정
11-1-1 negative 리소그래피와 positive 리소그래피
11-1-2 포토리소그래피 공정의 8가지 기본 단계
11-2 웨이퍼 준비 단계
11-2-1 포토레지스트의 특성
11-2-2 negative i-line 포토레지스트와 positive i-line 포토레지스트
11-2-3 DUV 포토레지스트
11-2-4 DUV 공정 요구조건
11-3 약하게 굽기 공정
11-4 정렬과 노출
11-4-1 정렬과 노출의 중요성
11-4-2 광학 리소그래피
11-4-3 공간 간섭(코히어런스)
11-4-4 렌즈의 광학 시스템
11-4-5 포토리소그래피 장비
11-4-6 전자빔 리소그래피
11-5 포토레지스트 현상과 개선된 리소그래피
11-5-1 노출 후 굽기
11-5-2 i-line 포토레지스트와 화학적 증폭 DUV 레지스트
11-5-3 현상법
11-5-4 포토레지스트 현상 파라미터
11-5-5 강하게 굽기
11-5-6 EUV와 SCALPEL
11-5-7 IPL과 X선 리소그래피
연습문제

제12장
12-1 도핑 공정에서 사용되는 도펀트의 종류
12-2 확산 공정
12-3 이온 주입 공정
12-4 이온 주입기의 구조와 동작 원리
12-5 CMOS 제조공정에서의 이온 주입
12-6 이온 주입기 품질 측정
연습문제

제13장
13-1 식각 공정과 식각 파라미터
13-2 플라스마 식각 반응기의 특성
13-3 건식 산화물 식각과 건식 금속 식각
13-4 습식 식각
13-5 포토레지스트의 제거와 ashing
13-6 식각 검사
연습문제

제14장
14-1 다층 금속화 공정
14-2 금속화 공정에 사용되는 재료들의 특성
14-3 장벽 금속 재료
14-4 증발 공정과 스퍼터링 공정
14-5 이중 다마신 공정
연습문제

제15장
15-1 웨이퍼의 지형도와 평탄화
15-2 CMP의 광역 평탄화 특성
15-3 CMP 슬러리와 패드
15-4 CMP 장비
15-5 CMP 세정
연습문제

제16장
16-1 일반적인 조립 공정과 포장 공정
16-2 개선된 조립과 포장
연습문제

참고문헌
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